電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)匯編:
一、GB/T2423 有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成:
1 GB/T 2423.1-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A: 低溫
2 GB/T 2423.2-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B: 高溫
3 GB/T 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
4 GB/T 2423.4-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Db: 交變濕熱試驗(yàn)方法
5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則: 沖擊
6 GB/T 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則: 碰撞
7 GB/T 2423.7-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒 (主要用于設(shè)備型樣品)
8 GB/T 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed: 自由跌落
9 GB/T 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb: 設(shè)備用恒定濕熱
10 GB/T 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則: 振動(dòng)(正弦)
11 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求
12 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性
13 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng) 中再現(xiàn)性
14 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng) 低再現(xiàn)性
15 GB/T 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度
16 GB/T 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則: 長霉
17 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ka: 鹽霧試驗(yàn)方法
18 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧, 交變(氯化鈉溶液)
19 GB/T 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc: 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
20 GB/T 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd: 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) M: 低氣壓試驗(yàn)方法
22 GB/T 2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N: 溫度變化
23 GB/T 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)Q:密封
24 GB/T 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa: 模擬地面上的太陽輻射
25 GB/T 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM: 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
26 GB/T 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM: 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
27 GB/T 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/ 低氣壓 /濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
28 GB/T 2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法
29 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
30 GB/T 2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31 GB/T 2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
32 GB/T 2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
33 GB/T 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
34 GB/T 2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
35 GB/T 2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
36 GB/T 2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) L: 砂塵試驗(yàn)方法
38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) R: 水試驗(yàn)方法
39 GB/T 2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ee: 彈跳試驗(yàn)方法
40 GB/T 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41 GB/T 2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 風(fēng)壓試驗(yàn)方法
42 GB/T 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
43 GB/T 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea) 、碰撞(Eb) 、振動(dòng)(Fc和Fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
44 GB/T 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg: 撞擊 彈簧錘
45 GB/T 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABDM:氣候順序
46 GB/T 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ef:撞擊 擺錘
47 GB/T 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg: 聲振
48 GB/T 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ff: 振動(dòng)--時(shí)間歷程法
49 GB/T 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fe: 振動(dòng)--正弦拍頻法
50 GB/T 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
51 GB/T 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke: 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)
二、GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 總則
三、GB/T2422-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 術(shù)語
四、GB2424
1.GB2424.1-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
2.GB/T2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
3.GB/T2424.9-90 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 長霉試驗(yàn)導(dǎo)則
4.GB/T2424.10-93 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
5.GB/T2424.11-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
6.GB/T2424.12-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
7.GB/T2424.13-81 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
8.GB/T2424.14-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第2部分 :試驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則
9.GB/T2424.15-92 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
10.GB/T2424.17-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
11.GB/T2424.18-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則
12.GB/T2424.19-84 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
13.GB/T2424.20-85 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
14.GB/T2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
15.GB/T2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度(低溫、高溫)和振動(dòng)(正 玄)綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
16.GB/T2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 水試驗(yàn)導(dǎo)則
17.GB/T2424.24-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正玄)綜合試驗(yàn)導(dǎo)則。